EM6GE08EW8D-10H

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Numéro d'article EM6GE08EW8D-10H
LIXINC Part # EM6GE08EW8D-10H
Fabricant Etron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO EM6GE08EW8D-10H Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EM6GE08EW8D-10H Caractéristiques

Numéro d'article:EM6GE08EW8D-10H
Marque:Etron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Etron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Not For New Designs
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR3
taille mémoire:4Gb (512M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:933 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:20 ns
tension - alimentation:1.425V ~ 1.575V
température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:78-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:78-FBGA (9x10.5)

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