AS4C256M16MD4-062BAN

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Numéro d'article AS4C256M16MD4-062BAN
LIXINC Part # AS4C256M16MD4-062BAN
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AS4C256M16MD4-062BAN Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AS4C256M16MD4-062BAN Caractéristiques

Numéro d'article:AS4C256M16MD4-062BAN
Marque:Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Alliance Memory, Inc.
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:2Gb (128M x 16)
interface mémoire:LVSTL
fréquence d'horloge:1.6 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:18ns
temps d'accès:3.5 ns
tension - alimentation:1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 105°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:200-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:200-FBGA (10x14.5)

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