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R1QEA3636CBG-19IB0

R1QEA3636CBG-19IB0
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Numéro d'article R1QEA3636CBG-19IB0
LIXINC Part # R1QEA3636CBG-19IB0
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description 36-MBIT DDR II + SRAM MEMORY
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO R1QEA3636CBG-19IB0 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

R1QEA3636CBG-19IB0 Caractéristiques

Numéro d'article:R1QEA3636CBG-19IB0
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Rochester Electronics
série:*
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type de mémoire:-
formatage de la mémoire:-
technologie:-
taille mémoire:-
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:-
température de fonctionnement:-
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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