MT40A1G8WE-075E AIT:B

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Numéro d'article MT40A1G8WE-075E AIT:B
LIXINC Part # MT40A1G8WE-075E AIT:B
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT40A1G8WE-075E AIT:B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT40A1G8WE-075E AIT:B Caractéristiques

Numéro d'article:MT40A1G8WE-075E AIT:B
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:Automotive, AEC-Q100
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR4
taille mémoire:8Gb (1G x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:1.33 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.14V ~ 1.26V
température de fonctionnement:-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:78-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:78-FBGA (8x12)

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