MT53E256M32D2DS-046 WT:B

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Numéro d'article MT53E256M32D2DS-046 WT:B
LIXINC Part # MT53E256M32D2DS-046 WT:B
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT53E256M32D2DS-046 WT:B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT53E256M32D2DS-046 WT:B Caractéristiques

Numéro d'article:MT53E256M32D2DS-046 WT:B
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:8Gb (256M x 32)
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:2.133 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.1V
température de fonctionnement:-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:200-WFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:200-WFBGA (10x14.5)

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