MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B | Micron Technology MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B | MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B Inventory, Best Pricing

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B
LIXINC Part #	MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 32GBIT 1866MHZ FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B Caractéristiques

Numéro d'article:	MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:	32Gb (512M x 64)
interface mémoire:	-
fréquence d'horloge:	1.866 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.1V
température de fonctionnement:	-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

[email protected]

LIXINC

Envoyer le message

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015