MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR | Micron Technology MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR | MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR Inventory, Best Pricing

MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

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Numéro d'article	MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR
LIXINC Part #	MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 3TB PARALLEL 267MHZ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND
taille mémoire:	3Tb (384G x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	267 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

PC28F256G18AF TR	IC FLASH 256MBIT PAR 64EASYBGA	910 Plus sur la commande
40060204	IC FLASH NOR	912 Plus sur la commande
EDBM432B3PB-1D-F-D	IC DRAM 12GBIT PARALLEL 168FBGA	976 Plus sur la commande
S99GL256P11TFI010	IC FLASH MEMORY NOR	950 Plus sur la commande
MT53D384M64D4NZ-053 WT ES:C TR	IC DRAM 24GBIT 1866MHZ FBGA	825 Plus sur la commande
7005S25PFI	IC SRAM 64KBIT PARALLEL 64TQFP	898 Plus sur la commande
MTFC16GAPALNA-AIT ES	EMMC 128G MMC5.1 J56X AT	892 Plus sur la commande
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C	IC DRAM 24GBIT 1600MHZ FBGA	873 Plus sur la commande
AS4C512M8D3B-12BAN	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA	983 Plus sur la commande
R1WV6416RBG-5SI#S0	IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TFBGA	816 Plus sur la commande
MT53D512M32D2NP-046 WT:E	IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA	824 Plus sur la commande
SST26VF064B-104I/WF70S	IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD WAFER	970 Plus sur la commande
EMFA164A2PF-DV-F-D	LPDDR3 SPECIAL/CUSTOM PLASTIC 1.	884 Plus sur la commande

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