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UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A

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Numéro d'article UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A
LIXINC Part # UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A
Fabricant Renesas Electronics America
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A Caractéristiques

Numéro d'article:UPD48576236F1-E24-DW1-E2-A
Marque:Renesas Electronics America
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Renesas Electronics America
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Last Time Buy
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:LLDRAM2
taille mémoire:576Mb (16M x 36)
interface mémoire:HSTL
fréquence d'horloge:400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:20 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:144-TBGA
paquet de dispositif de fournisseur:144-TFBGA (11x18.5)

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