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MT47H512M4EB-3:C

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Numéro d'article	MT47H512M4EB-3:C
LIXINC Part #	MT47H512M4EB-3:C
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT47H512M4EB-3:C Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT47H512M4EB-3:C Caractéristiques

Numéro d'article:	MT47H512M4EB-3:C
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR2
taille mémoire:	2Gb (512M x 4)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	333 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	450 ps
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	60-FBGA (9x11.5)

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