AS4C512M8D3B-12BINTR | Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BINTR | AS4C512M8D3B-12BINTR Inventory, Best Pricing

AS4C512M8D3B-12BINTR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	AS4C512M8D3B-12BINTR
LIXINC Part #	AS4C512M8D3B-12BINTR
Fabricant	Alliance Memory, Inc.
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	AS4C512M8D3B-12BINTR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

AS4C512M8D3B-12BINTR Caractéristiques

Numéro d'article:	AS4C512M8D3B-12BINTR
Marque:	Alliance Memory, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Alliance Memory, Inc.
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR3
taille mémoire:	4Gb (512M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	800 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	20 ns
tension - alimentation:	1.425V ~ 1.575V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	78-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	78-FBGA (9x10.5)

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

[email protected]

LIXINC

Envoyer le message

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015