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S72XS256RE0AHBH10

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Numéro d'article S72XS256RE0AHBH10
LIXINC Part # S72XS256RE0AHBH10
Fabricant Cypress Semiconductor
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO S72XS256RE0AHBH10 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

S72XS256RE0AHBH10 Caractéristiques

Numéro d'article:S72XS256RE0AHBH10
Marque:Cypress Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Cypress Semiconductor
série:XS-R
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH, RAM
technologie:FLASH, DRAM
taille mémoire:256Mbit Flash, 2565Mbit DDR DRAM
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:108 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:133-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:133-FBGA (8x8)

S72XS256RE0AHBH10 Documents

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