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MT47R512M4EB-25E:C

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Numéro d'article MT47R512M4EB-25E:C
LIXINC Part # MT47R512M4EB-25E:C
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT47R512M4EB-25E:C Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT47R512M4EB-25E:C Caractéristiques

Numéro d'article:MT47R512M4EB-25E:C
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Discontinued at Digi-Key
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR2
taille mémoire:2Gb (512M x 4)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:400 ps
tension - alimentation:1.55V ~ 1.9V
température de fonctionnement:0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:60-FBGA (9x11.5)

MT47R512M4EB-25E:C Documents

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