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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

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Numéro d'article	MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
LIXINC Part #	MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 30 - Nov 03 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Caractéristiques

Numéro d'article:	MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND
taille mémoire:	4Tb (512G x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	333 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.5V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

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