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EDB8164B4PR-1D-F-D

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Numéro d'article	EDB8164B4PR-1D-F-D
LIXINC Part #	EDB8164B4PR-1D-F-D
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 216FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	EDB8164B4PR-1D-F-D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 09 - Sep 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

EDB8164B4PR-1D-F-D Caractéristiques

Numéro d'article:	EDB8164B4PR-1D-F-D
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR2
taille mémoire:	8Gb (128M x 64)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	533 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.14V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	216-WFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	216-FBGA (12x12)

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