MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | Micron Technology MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Inventory, Best Pricing

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

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Numéro d'article	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
LIXINC Part #	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH, RAM
technologie:	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
taille mémoire:	4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	533 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.8V
température de fonctionnement:	-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	162-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	162-VFBGA (11.5x13)

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