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ECF840AAACN-C1-Y3

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Numéro d'article	ECF840AAACN-C1-Y3
LIXINC Part #	ECF840AAACN-C1-Y3
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 8GBIT PARALLEL
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	ECF840AAACN-C1-Y3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

ECF840AAACN-C1-Y3 Caractéristiques

Numéro d'article:	ECF840AAACN-C1-Y3
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR3
taille mémoire:	8Gb (512M x 16)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.14V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

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