MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR | Micron Technology MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR | MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Inventory, Best Pricing

MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
LIXINC Part #	MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Aug 14 - Aug 18 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
technologie:	FLASH - NAND
taille mémoire:	4Tb (512G x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	333 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	2.5V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

[email protected]

LIXINC

Envoyer le message

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015