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MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1
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Numéro d'article MT41K512M8V80AWC1
LIXINC Part # MT41K512M8V80AWC1
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 4GBIT PARALLEL DIE
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT41K512M8V80AWC1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT41K512M8V80AWC1 Caractéristiques

Numéro d'article:MT41K512M8V80AWC1
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR3L
taille mémoire:4Gb (512M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.283V ~ 1.45V
température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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