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MB85R256GPF-G-BND-ERE1

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Numéro d'article	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Fabricant	Fujitsu Electronics America, Inc.
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Caractéristiques

Numéro d'article:	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Marque:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Fujitsu Electronics America, Inc.
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FRAM
technologie:	FRAM (Ferroelectric RAM)
taille mémoire:	256Kb (32K x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	150ns
temps d'accès:	150 ns
tension - alimentation:	2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

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