MT47R256M8EB-25E:C | Micron Technology MT47R256M8EB-25E:C | MT47R256M8EB-25E:C Inventory, Best Pricing

MT47R256M8EB-25E:C

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	MT47R256M8EB-25E:C
LIXINC Part #	MT47R256M8EB-25E:C
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT47R256M8EB-25E:C Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Jul 08 - Jul 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT47R256M8EB-25E:C Caractéristiques

Numéro d'article:	MT47R256M8EB-25E:C
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Discontinued at Digi-Key
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR2
taille mémoire:	2Gb (256M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	400 ps
tension - alimentation:	1.55V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	60-FBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	60-FBGA (9x11.5)

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

[email protected]

LIXINC

Envoyer le message

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015