MT40A512M8RH-083E:B TR

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Numéro d'article MT40A512M8RH-083E:B TR
LIXINC Part # MT40A512M8RH-083E:B TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT40A512M8RH-083E:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT40A512M8RH-083E:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT40A512M8RH-083E:B TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - DDR4
taille mémoire:4Gb (512M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:1.2 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:15ns
temps d'accès:19 ns
tension - alimentation:1.14V ~ 1.26V
température de fonctionnement:0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:78-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:78-FBGA (9x10.5)

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