MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

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Numéro d'article MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR
LIXINC Part # MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC FLASH 512GBIT PARALLEL 100MHZ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND (TLC)
taille mémoire:512Gb (64G x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:100 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:2.7V ~ 3.6V
température de fonctionnement:0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:132-TBGA (12x18)

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