MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

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Numéro d'article MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
LIXINC Part # MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 16GBIT 1866MHZ FBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR Caractéristiques

Numéro d'article:MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:16Gb (256M x 64)
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:1.866 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.1V
température de fonctionnement:-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:-
paquet / caisse:-
paquet de dispositif de fournisseur:-

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