MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology MT47H512M4THN-25E:M | MT47H512M4THN-25E:M Inventory, Best Pricing

MT47H512M4THN-25E:M

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Numéro d'article	MT47H512M4THN-25E:M
LIXINC Part #	MT47H512M4THN-25E:M
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT47H512M4THN-25E:M Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT47H512M4THN-25E:M Caractéristiques

Numéro d'article:	MT47H512M4THN-25E:M
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR2
taille mémoire:	2Gb (512M x 4)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	400 ps
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	63-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	63-FBGA (8x10)

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