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MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E

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Numéro d'article MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E
LIXINC Part # MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 200VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E Caractéristiques

Numéro d'article:MT53D1024M32D4DT-046 AUT:E
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:Automotive, AEC-Q100
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:32Gb (1G x 32)
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:2.133 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.1V
température de fonctionnement:-40°C ~ 125°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:200-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:200-VFBGA (10x14.5)

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