MT47H64M8SH-25E:H | Micron Technology MT47H64M8SH-25E:H | MT47H64M8SH-25E:H Inventory, Best Pricing

MT47H64M8SH-25E:H

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	MT47H64M8SH-25E:H
LIXINC Part #	MT47H64M8SH-25E:H
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT47H64M8SH-25E:H Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 25 - Oct 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MT47H64M8SH-25E:H Caractéristiques

Numéro d'article:	MT47H64M8SH-25E:H
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR2
taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	400 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	400 ps
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.9V
température de fonctionnement:	0°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	60-FBGA (8x10)

Conseils chaleureux : veuillez remplir le formulaire ci-dessous. Nous vous contacterons dès que possible.

Lixinc vous proposera les prix les plus compétitifs, veuillez vous référer aux devis.

[email protected]

LIXINC

Envoyer le message

N'hésitez pas à nous contacter pour plus de détails.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015