MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR | Micron Technology MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR

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Numéro d'article	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
LIXINC Part #	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 16GBIT 2133MHZ FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 26 - Oct 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Caractéristiques

Numéro d'article:	MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:	16Gb (256M x 64)
interface mémoire:	-
fréquence d'horloge:	2.133 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	-
temps d'accès:	-
tension - alimentation:	1.1V
température de fonctionnement:	-30°C ~ 105°C (TC)
Type de montage:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

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