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MT46V64M8BN-6 L:F

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Numéro d'article	MT46V64M8BN-6 L:F
LIXINC Part #	MT46V64M8BN-6 L:F
Fabricant	Micron Technology
Catégorie	circuits intégrés › mémoire
Description	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MT46V64M8BN-6 L:F Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

MT46V64M8BN-6 L:F Caractéristiques

Numéro d'article:	MT46V64M8BN-6 L:F
Marque:	Micron Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	circuits intégrés
Sous-catégorie:	mémoire
Fabricant:	Micron Technology
série:	-
emballer:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type de mémoire:	Volatile
formatage de la mémoire:	DRAM
technologie:	SDRAM - DDR
taille mémoire:	512Mb (64M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	167 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:	15ns
temps d'accès:	700 ps
tension - alimentation:	2.3V ~ 2.7V
température de fonctionnement:	0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	60-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	60-FBGA (10x12.5)

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