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NAND512R3A2AZA6E

NAND512R3A2AZA6E
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Numéro d'article NAND512R3A2AZA6E
LIXINC Part # NAND512R3A2AZA6E
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC FLSH 512MBIT PARALLEL 55VFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NAND512R3A2AZA6E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 27 - Oct 31 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NAND512R3A2AZA6E Caractéristiques

Numéro d'article:NAND512R3A2AZA6E
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:STMicroelectronics
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Non-Volatile
formatage de la mémoire:FLASH
technologie:FLASH - NAND
taille mémoire:512Mb (64M x 8)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:-
temps de cycle d'écriture - mot, page:60ns
temps d'accès:60 ns
tension - alimentation:1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:55-TFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:55-VFBGA (8x10)

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