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IS61NVP25672-200B1I

IS61NVP25672-200B1I
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Numéro d'article IS61NVP25672-200B1I
LIXINC Part # IS61NVP25672-200B1I
Fabricant ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Catégorie circuits intégrés › mémoire
Description IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IS61NVP25672-200B1I Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61NVP25672-200B1I Caractéristiques

Numéro d'article:IS61NVP25672-200B1I
Marque:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:SRAM
technologie:SRAM - Synchronous, SDR
taille mémoire:18Mb (256K x 72)
interface mémoire:Parallel
fréquence d'horloge:200 MHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:3.1 ns
tension - alimentation:2.375V ~ 2.625V
température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:209-BGA
paquet de dispositif de fournisseur:209-LFBGA (14x22)

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