MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D

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Numéro d'article MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D
LIXINC Part # MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D
Fabricant Micron Technology
Catégorie circuits intégrésmémoire
Description IC DRAM 16GBIT 1600MHZ 200WFBGA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 31 - Nov 04 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D Caractéristiques

Numéro d'article:MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D
Marque:Micron Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:circuits intégrés
Sous-catégorie:mémoire
Fabricant:Micron Technology
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Obsolete
type de mémoire:Volatile
formatage de la mémoire:DRAM
technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4
taille mémoire:16Gb (512M x 32)
interface mémoire:-
fréquence d'horloge:1.6 GHz
temps de cycle d'écriture - mot, page:-
temps d'accès:-
tension - alimentation:1.1V
température de fonctionnement:-30°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:200-WFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:200-WFBGA (10x14.5)

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