MMBTA13LT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MMBTA13LT1G

MMBTA13LT1G

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Numéro d'article	MMBTA13LT1G
LIXINC Part #	MMBTA13LT1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - bipolaires (bjt) - simples
Description	TRANS NPN DARL 30V 300MA SOT23-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MMBTA13LT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MMBTA13LT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	MMBTA13LT1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):	300 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	30 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	1.5V @ 100µA, 100mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	10000 @ 100mA, 5V
puissance - maximum:	225 mW
fréquence - transition:	125MHz
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-23-3 (TO-236)