NJVNJD35N04T4G

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Numéro d'article NJVNJD35N04T4G
LIXINC Part # NJVNJD35N04T4G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK-4
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NJVNJD35N04T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NJVNJD35N04T4G Caractéristiques

Numéro d'article:NJVNJD35N04T4G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):4 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):350 V
vce saturation (max) @ ib, ic:1.5V @ 20mA, 2A
courant - coupure collecteur (max):50µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:2000 @ 2A, 2V
puissance - maximum:45 W
fréquence - transition:90MHz
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK

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