MMBT5551LT3G

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Numéro d'article MMBT5551LT3G
LIXINC Part # MMBT5551LT3G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS NPN 160V 600MA SOT23-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MMBT5551LT3G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 29 - Nov 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MMBT5551LT3G Caractéristiques

Numéro d'article:MMBT5551LT3G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
courant - collecteur (ic) (max):600 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):160 V
vce saturation (max) @ ib, ic:200mV @ 5mA, 50mA
courant - coupure collecteur (max):100nA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 10mA, 5V
puissance - maximum:225 mW
fréquence - transition:-
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-23-3 (TO-236)

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