NJVMJD2955T4G

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Numéro d'article NJVMJD2955T4G
LIXINC Part # NJVMJD2955T4G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS PNP 60V 10A DPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NJVMJD2955T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Nov 01 - Nov 05 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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NJVMJD2955T4G Caractéristiques

Numéro d'article:NJVMJD2955T4G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:PNP
courant - collecteur (ic) (max):10 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):60 V
vce saturation (max) @ ib, ic:8V @ 3.3A, 10A
courant - coupure collecteur (max):50µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:20 @ 4A, 4V
puissance - maximum:1.75 W
fréquence - transition:2MHz
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK

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