MJD253-1G

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Numéro d'article MJD253-1G
LIXINC Part # MJD253-1G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description TRANS PNP 100V 4A IPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MJD253-1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MJD253-1G Caractéristiques

Numéro d'article:MJD253-1G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
à transistors:PNP
courant - collecteur (ic) (max):4 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):100 V
vce saturation (max) @ ib, ic:600mV @ 100mA, 1A
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:40 @ 200mA, 1V
puissance - maximum:1.4 W
fréquence - transition:40MHz
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK

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