FJP2160DTU

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Numéro d'article FJP2160DTU
LIXINC Part # FJP2160DTU
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description POWER BIPOLAR TRANSISTOR
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FJP2160DTU Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FJP2160DTU Caractéristiques

Numéro d'article:FJP2160DTU
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:ESBC™
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
à transistors:NPN
courant - collecteur (ic) (max):2 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):800 V
vce saturation (max) @ ib, ic:750mV @ 330mA, 1A
courant - coupure collecteur (max):100µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:20 @ 400mA, 3V
puissance - maximum:100 W
fréquence - transition:5MHz
température de fonctionnement:-55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet / caisse:TO-220-3
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3

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