NJVMJD112T4G

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Numéro d'article NJVMJD112T4G
LIXINC Part # NJVMJD112T4G
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - simples
Description POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NJVMJD112T4G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NJVMJD112T4G Caractéristiques

Numéro d'article:NJVMJD112T4G
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):2 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):100 V
vce saturation (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
courant - coupure collecteur (max):20µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
puissance - maximum:20 W
fréquence - transition:25MHz
température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK

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