NSV40302PDR2G

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Numéro d'article NSV40302PDR2G
LIXINC Part # NSV40302PDR2G
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - bipolaires (bjt) - matrices
Description TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NSV40302PDR2G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NSV40302PDR2G Caractéristiques

Numéro d'article:NSV40302PDR2G
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - bipolaires (bjt) - matrices
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN, PNP
courant - collecteur (ic) (max):3A
tension - claquage collecteur émetteur (max):40V
vce saturation (max) @ ib, ic:115mV @ 200mA, 2A
courant - coupure collecteur (max):100nA (ICBO)
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:180 @ 1A, 2V
puissance - maximum:653mW
fréquence - transition:100MHz
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquet de dispositif de fournisseur:8-SOIC

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