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TPH3202PD

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Numéro d'article	TPH3202PD
LIXINC Part #	TPH3202PD
Fabricant	Transphorm
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	TPH3202PD Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

TPH3202PD Caractéristiques

Numéro d'article:	TPH3202PD
Marque:	Transphorm
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Transphorm
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	350mOhm @ 5.5A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 4.5 V
vg (max):	±18V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 480 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	65W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220AB
paquet / caisse:	TO-220-3