IRFDC20PBF | Vishay / Siliconix IRFDC20PBF | IRFDC20PBF Inventory, Best Pricing

IRFDC20PBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRFDC20PBF
LIXINC Part #	IRFDC20PBF
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 320MA 4DIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRFDC20PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRFDC20PBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRFDC20PBF
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	320mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	4.4Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
paquet / caisse:	4-DIP (0.300", 7.62mm)