IRFSL7730PBF | Rochester Electronics IRFSL7730PBF | IRFSL7730PBF Inventory, Best Pricing

IRFSL7730PBF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IRFSL7730PBF
LIXINC Part #	IRFSL7730PBF
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRFSL7730PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRFSL7730PBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRFSL7730PBF
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	HEXFET®, StrongIRFET™
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	75 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	195A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	407 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	13.66 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	375W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-262
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA