UPA2820T1S-E2-AT | Renesas Electronics America UPA2820T1S-E2-AT | UPA2820T1S-E2-AT Inventory, Best Pricing

UPA2820T1S-E2-AT

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Numéro d'article	UPA2820T1S-E2-AT
LIXINC Part #	UPA2820T1S-E2-AT
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	UPA2820T1S-E2-AT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

UPA2820T1S-E2-AT Caractéristiques

Numéro d'article:	UPA2820T1S-E2-AT
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Last Time Buy
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	22A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	5.3mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2330 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.5W (Ta), 16W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	-
paquet / caisse:	8-PowerWDFN