SQD40P10-40L_GE3

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Numéro d'article SQD40P10-40L_GE3
LIXINC Part # SQD40P10-40L_GE3
Fabricant Vishay / Siliconix
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO SQD40P10-40L_GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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SQD40P10-40L_GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:SQD40P10-40L_GE3
Marque:Vishay / Siliconix
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Vishay / Siliconix
série:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:38A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:40mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:144 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:5540 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):136W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-252AA
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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