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NVMFS5833NWFT1G

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Numéro d'article	NVMFS5833NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5833NWFT1G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	N-CHANNEL, MOSFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NVMFS5833NWFT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NVMFS5833NWFT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NVMFS5833NWFT1G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	16A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	32.5 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1.714 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.7W (Ta), 112W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN