NVMFS5C680NLWFT1G | Rochester Electronics NVMFS5C680NLWFT1G | NVMFS5C680NLWFT1G Inventory, Best Pricing

NVMFS5C680NLWFT1G

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	NVMFS5C680NLWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS5C680NLWFT1G
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NVMFS5C680NLWFT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NVMFS5C680NLWFT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NVMFS5C680NLWFT1G
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8.1A (Ta), 21A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	27.5mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.2V @ 13µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	330 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.4W (Ta), 24W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN, 5 Leads