IRF7799L2TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7799L2TRPBF | IRF7799L2TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7799L2TRPBF

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Numéro d'article	IRF7799L2TRPBF
LIXINC Part #	IRF7799L2TRPBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRF7799L2TRPBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRF7799L2TRPBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRF7799L2TRPBF
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	HEXFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	250 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	375A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	38mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	165 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6714 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	4.3W (Ta), 125W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	DIRECTFET L8
paquet / caisse:	DirectFET™ Isometric L8