SUD50N04-8M8P-4GE3 | Vishay / Siliconix SUD50N04-8M8P-4GE3 | SUD50N04-8M8P-4GE3 Inventory, Best Pricing

SUD50N04-8M8P-4GE3

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Numéro d'article	SUD50N04-8M8P-4GE3
LIXINC Part #	SUD50N04-8M8P-4GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SUD50N04-8M8P-4GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SUD50N04-8M8P-4GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SUD50N04-8M8P-4GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	14A (Ta), 50A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	8.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2400 pF @ 20 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252, (D-Pak)
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63