AUIRFSL8409

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Numéro d'article AUIRFSL8409
LIXINC Part # AUIRFSL8409
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AUIRFSL8409 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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AUIRFSL8409 Caractéristiques

Numéro d'article:AUIRFSL8409
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:HEXFET®
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:195A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:450 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:14.24 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):375W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:TO-262
paquet / caisse:TO-262-3 Short Leads, I²Pak

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