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Numéro d'article | 2SK3566(STA4,Q,M) |
LIXINC Part # | 2SK3566(STA4,Q,M) |
Fabricant | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | 2SK3566(STA4,Q,M) Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | 2SK3566(STA4,Q,M) |
Marque: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
série: | π-MOSIV |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 900 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 2.5A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 6.4Ohm @ 1.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 1mA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
vg (max): | ±30V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 470 pF @ 25 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 40W (Tc) |
température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-220SIS |
paquet / caisse: | TO-220-3 Full Pack |
DMN3730UFB4-7B | MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN | 70992 Plus sur la commande |
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IPB067N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK | 4613 Plus sur la commande |
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BUK7Y25-40B/C3115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 11463 Plus sur la commande |
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IRFR9010TRPBF | MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK | 2757 Plus sur la commande |
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IXTQ30N50L2 | MOSFET N-CH 500V 30A TO3P | 1810 Plus sur la commande |
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HUF76407D3ST | N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P | 25174 Plus sur la commande |
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APT17F100S | MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK | 800 Plus sur la commande |
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PH6530AL115 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 5302 Plus sur la commande |
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IXTP44N10T | MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB | 993 Plus sur la commande |
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SISS26DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S | 25112 Plus sur la commande |
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IRFB3206GPBF | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 1218 Plus sur la commande |
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PMV37EN,215 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 735869 Plus sur la commande |
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DMG3415UFY4Q-7 | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 | 5744 Plus sur la commande |
En stock | 10866 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.75000 | $1.75 |
50 | $1.39751 | $69.8755 |
100 | $1.22283 | $122.283 |
500 | $0.94831 | $474.155 |
1000 | $0.74867 | $748.67 |
2500 | $0.69876 | $1746.9 |
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